开云以开云入口为核心，带来高效便捷的体验。

内存价格正经历显著上涨。美国投资银行Jefferies预测，2026年第三季度内存价格将环比上涨40%至50%，第四季度再上涨30%至40%。随后，2027年全年同比涨幅预计在40%至45%之间，且此上涨趋势至少将持续到2028年。

供应方面，全球三大动态随机存取存储器（DRAM）制造商三星、SK海力士和美光的现有产能已显紧张，且目前总产能的一半受到“长期协议”的限制。

扩产计划正在同期进行。美光已在美国等地投资超过1500亿美元用于新建产能。三星电子与SK集团近期也公布了一项为期十年的半导体和人工智能基础设施投资计划，总额高达2000万亿韩元，约合1.3万亿美元。这三家存储原厂的总投资预计将超过1.5万亿美元。

值得注意的是，由于这三巨头占据了90%以上的市场份额，它们也面临着反垄断诉讼。美国律师事务所Hagens Berman指控这些公司合谋操纵价格，人为制造供应短缺。

存储原厂加大投资力度

根据当地媒体报道，三星和SK集团在人工智能基础设施项目上的投资涵盖半导体、显示器、电池和数据中心等多个领域，其中半导体是投资重点。

三星计划在韩国西南部的光州和全罗南道建设4至5座前道晶圆厂，投资额约300万亿韩元。在龙仁半导体集群，将新建6座晶圆厂，投资360万亿韩元，原定于2048年完工，现已提前至2034至2035年。在忠清南道天安和温阳，将投入超过56万亿韩元建设先进封装基地，定位为封装研发与生产中心。

在半导体领域之外，AI数据中心的投资将超过350万亿韩元，主要选址在忠清南道牙山。

SK海力士计划在光州建设四到五座前道晶圆厂，并在忠清北道清州扩建NAND闪存工厂，相关投资规模约为600万亿韩元。

在此之前，SK海力士已启动部分扩产项目，但该公司并未说明这些项目是否包含在本次公布的新投资计划中。例如，SK集团会长崔泰源曾于6月11日表示，位于清州M15X晶圆厂计划于2026年下半年开始运营，初期月产能为4万片，预计2027年增至约8万片。

此外，龙仁半导体集群的建设也在加速推进，一期项目预计于2027年初完工，包含6个洁净室，每个洁净室将逐步增加月产能6万片。仅第一工厂就可在2030年上半年之前增加月产能36万片DRAM。

美光的扩产计划在全球市场同步进行，而美国本土是其核心布局。在第三财季业绩电话会议上，首席财务官马克·墨菲（Mark Murphy）提供的资本支出指引显示，第四财季约为100亿美元，2026财年全年为270亿美元。他还预告，2027财年的季度资本支出将高于2026财年第四季度的水平，其中超过一半的同比增长将来自建设资本支出。

目前，美光正在美国爱达荷州博伊西总部园区新建两座晶圆厂ID1和ID2，总投资500亿美元，这是美国历史上最大的洁净室之一。ID1预计于2027年中期生产首批DRAM晶圆，包括用于高带宽存储器（HBM）的基础芯片。ID2预计于2028年底前投产。

在纽约州锡拉丘兹的晶圆厂集群，投资额达1000亿美元，是纽约州历史上最大的单笔私人投资，该项目已于2026年1月动工。

弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂近期已启动1-alpha DDR4技术生产，主要满足汽车、工业、医疗、航空航天和国防市场对成熟制程产品的需求。

在亚洲，日本广岛的新建DRAM晶圆厂投资96亿美元，并已引入EUV设备。在中国台湾地区收购的现有晶圆厂预计于2027年中期实现批量产品出货，比预期提前约一个季度。附近同等规模的第二座洁净室已开工建设，将支持EUV设备。

新加坡将成为美光的先进封装卓越中心，重点扩展HBM封装产能，预计于2027年上半年开始贡献收入。当地新建NAND晶圆厂的十年投资约为240亿美元。

梅赫罗特拉特别提到，美光近期与ASML签署了一项多年期EUV供应协议，为下一代1-delta节点及更先进工艺奠定基础。

这三家公司的投资安排有一个共同点：都在进行扩产，但都采取了拉长战线、分摊负担的策略，没有一家押注短期爆发。

桑杰在美光第三财季电话会议上解释说，整个行业都在努力增加供应，但扩产速度受到几个因素的限制：晶圆厂建设周期长、设备交付速度放缓、熟练工人短缺，以及能源和水电基础设施跟不上。他将这些因素统称为“结构性约束”，并认为在这种约束下，未来两三年内，供应端的紧张局面大概率不会得到缓解。

HBM成为关键战略筹码

与传统DRAM相比，真正让下游厂商感到忧虑的是高带宽存储器（HBM）。这种堆叠式高带宽内存的需求逻辑与以往所有内存产品类别都不同。

今年6月，黄仁勋在首尔与SK集团会长崔泰源会面时表示，SK海力士到2030年将存储晶圆产能翻倍的计划还远远不够。他透露：“我们已经从SK海力士采购，每年采购额达数十亿美元，而且这个数字还将大幅增长。”

分析师fin在《AI半导体终局推演》中的测算显示，每张GPU的HBM容量需求每年增长约40%，而供应端的产能增量为14%，DRAM的单元密度增速仅为9%，导致需求与供给的差距日益扩大。这意味着DRAM的供给增速只有24%，增速差值达到16%。

更重要的是，传统DRAM是标准化产品，在行业下行周期中，需求暴跌会导致价格暴跌，使行业面临巨额亏损。HBM则规避了这一风险。

fin认为，尽管HBM的上层堆叠仍是DRAM，但其基底裸片（Base die）具有定制化属性。客户需要与存储原厂签订长期合同锁定产能，同时AI需求的可预测性更强。价格下跌反而会刺激客户增加配置量，形成支撑。此外，由于技术更新换代快，旧产品贬值迅速，存储原厂更倾向于争取fabless客户的下一代技术资格认证，而不是在存量市场进行价格战。

根据fin的分析，HBM已经从过去“赚一年亏三年”的传统周期性产品，转变为“上行收益高、下行亏损风险小”的成长性产品。他认为，只要Transformer架构中的注意力机制不被颠覆，HBM的需求将持续指数级增长。

韩国产能争夺战

今年6月，黄仁勋在韩国与SK集团会长崔泰源、SK海力士CEO郭鲁正等举行了“晚餐会”。会后，黄仁勋向媒体确认，英伟达新推出的Vera CPU将采用SK海力士的DRAM，并且双方正在为今年下半年和明年的“超大规模合作”做准备。

同一天，英伟达与SK海力士宣布了一项多年的技术合作协议，涉及AI超级计算机以及机器人、数字孪生和半导体制造等领域。

黄仁勋并非唯一关注韩国内存产能的科技巨头。今年3月，AMD的CEO苏姿丰在其2014年上任以来的首次韩国之行中，首站便参观了三星电子位于京畿道平泽的园区。双方签署的谅解备忘录涵盖了多个层面：三星将为AMD下一代AI加速器MI455X供应HBM4内存，并为代号为“Venice”的第六代EPYC处理器开发定制化的DRAM解决方案。

科技巨头纷纷涌向首尔，其根本原因在于，内存正从一种可按需采购的通用部件，转变为需要CEO亲自出马去争取的高战略资源。

美光强硬态度显现，苹果受影响

在这轮涨价潮中，美光的态度比三星和SK海力士更为强硬。在发布创纪录的第三财季业绩后，美光首席商务官苏米特·萨达纳在接受《华尔街日报》采访时，罕见地回顾了过去。

他透露，在上一次行业低迷期，美光之所以无法进行投资扩产，部分原因是某些客户“在定价上表现得非常激进”，“以最低价采购”，将供应商的毛利率压至负值。他表示，当时美光已告知这些客户，“这种做法没有建设性”。由于极差的定价和利润率，2023年许多行业投资被直接搁置。

尽管没有点名，但美光“抱怨”的客户普遍被认为是苹果公司。苹果长期以来以其与供应商的强硬议价能力著称，通过长期采购合同锁定低价，最大限度地降低自身成本，同时推高终端产品价格。

然而，这种强硬的供应链策略，间接诱发的存储短缺，也开始反噬苹果自身。苹果CEO蒂姆·库克近期承认，这轮内存短缺是“百年一遇的洪水”，涨价“不可避免”。不久之后，苹果便对MacBook、iPad、Apple TV和Vision Pro等产品线实施了全面涨价。当天，苹果市值蒸发了2650亿美元。

据《金融时报》报道，苹果公司正在悄悄游说华盛顿，希望获得许可，能够向中国存储芯片制造商长鑫采购内存。在苹果看来，长鑫没有深度参与AI用HBM的供应竞争，理论上可以提供更具成本优势的内存。

市场研究机构Gartner的分析师兰吉特·阿特瓦尔（Ranjit Atwal）对此评价道：“即使是苹果也无法幸免，尽管他们拥有所有专业知识和长期规划，但这已经超出了他们能够限制影响的范畴。”

目前，市场普遍预测，最快到2028年之后，存储短缺问题才会缓解。然而，一旦权力结构发生转变，很难再回到原点。在存储市场，买方已不可能再像过去那样拥有“予取予求”的筹码——内存的“大宗商品时代”正在落幕，而终端厂商尚未完全适应这一趋势。

特约编译金鹿对本文亦有贡献

本文来自“腾讯科技”，作者：苏扬，编辑：徐青阳，36氪经授权发布。